在2011-2012年IGBT市場(chǎng)少許反常性的下跌后，Yole分析師預期今年市場(chǎng)已回歸穩定成長(cháng)腳步，具體而言，市場(chǎng)規模預估將從今年的36億美元，在5年后達到60億美金。

IGBT市場(chǎng)成長(cháng)的五大動(dòng)力源

       IGBT在電動(dòng)車(chē)/動(dòng)力混合汽車(chē)( EV/HEV)，再生能源( Renewable Energies)，電機驅動(dòng)器( Motor Drive)，不間斷電動(dòng)力系統 (UPS)及交通上的應用是市場(chǎng)成長(cháng)的動(dòng)力來(lái)源。

       其中，電機驅動(dòng)器是帶動(dòng)IGBT市場(chǎng)成長(cháng)的最大動(dòng)力，又可區分為工業(yè)、商業(yè)和住宅應用；風(fēng)能，太陽(yáng)能等再生能源也是IGBT市場(chǎng)成長(cháng)的幫手。不過(guò)，這兩個(gè)產(chǎn)業(yè)多賴(lài)政府補助或投資，難以正確預估其成長(cháng)趨勢。幸運的是，日本與一些發(fā)展中國家風(fēng)能與太陽(yáng)能市場(chǎng)的成長(cháng)，約可彌補歐洲市場(chǎng)的成長(cháng)趨緩；基于提高能源效率的要求，大眾運輸及不間斷電源系統等基礎建設需求也驅動(dòng)了IGBT市場(chǎng)的成長(cháng)；至于IGBT在EV/HEV應用的情況尚無(wú)法確定，從2013年第一季EV/HEV的市場(chǎng)季報及其技術(shù)演變來(lái)看，增長(cháng)一定會(huì )來(lái)到，但無(wú)法準確斷定成長(cháng)幅度及時(shí)間。

       除了上述的幾個(gè)主要成長(cháng)動(dòng)力外，Yole還對潛在應用進(jìn)行了分析，其中一些重要趨勢不容忽視，例如所謂的“變頻器化”（Inverterization）便是其中之一。

       為了達到高端家電更高性能、更舒適、更節能的必備條件，越來(lái)越多家電電機驅動(dòng)器都要求配備變頻器。消費者也越來(lái)越習慣使用先進(jìn)的家電產(chǎn)品，例如電磁感應電鍋。這一類(lèi)新興應用將會(huì )促使IGBT在消費性應用領(lǐng)域的增長(cháng)。

       2012年電力設備市場(chǎng)衰退，尤其是IGBT市場(chǎng)慘跌25%，主要是由于以下幾個(gè)原因：

1）2012年歐洲各國政府緊縮對再生能源的補助，風(fēng)力發(fā)電機及太陽(yáng)能安裝量驟跌；

2）2012年中國減緩風(fēng)力發(fā)電機的安裝速度；

3）2012年中國高鐵事故導致高鐵的生產(chǎn)喊停

4）全球經(jīng)濟復蘇速度不如預期的快，進(jìn)而影響消費性市場(chǎng)買(mǎi)氣。

       此外，受到日本地震及海嘯的影響，導致系統制造商爭取訂單貨源。綜合上述因素，造成2011年IGBT產(chǎn)能過(guò)剩，IGBT市場(chǎng)也為此在2012年及2013年初付出了代價(jià)。

       與SiC、GaN三分天下，IGBT轉移至中低端解決方案

       此外，IGBT市場(chǎng)還面臨著(zhù)來(lái)自外部的競爭壓力。通過(guò)觀(guān)察IGBT的同類(lèi)元器件的趨勢，注意到發(fā)生了很多技術(shù)演進(jìn)。

       事實(shí)上，IGBT驅動(dòng)器領(lǐng)域從來(lái)沒(méi)有像今天這般活躍過(guò)：有一大堆的新興廠(chǎng)商推出具有更佳設計靈活性及效能的解決方案；其他一些廠(chǎng)商致力于功率堆迭（ｐｏｗｅｒ ｓｔａｃｋ ｌｅｖｅｌ）的設計。越來(lái)越多的廠(chǎng)商將心力投注到功率模塊封裝的解決方案上?！?/p>

       不過(guò)，IGBT已經(jīng)不再是高端電子設備的唯一解決方案了。SiC器件已經(jīng)量產(chǎn)，GaN器件也進(jìn)入試產(chǎn)階段。應用版圖已經(jīng)十分清晰，基于MOSFET或者JFET的SiC太陽(yáng)能變頻器已經(jīng)誕生，高壓和低壓應用市場(chǎng)分別被SiC和GaN技術(shù)占據，IGBT則逐漸轉移至中低端解決方案。

       如今，對高效能源的需求比以往更甚，IGBT仍處于發(fā)展及改善階段：更薄的晶圓，更高效率的生產(chǎn)，功能整合等等。因此，Yole認為IGBT市場(chǎng)并沒(méi)有進(jìn)入彌留之際或是衰退期。不，絕不是，IGBT市場(chǎng)的商機無(wú)限。

中韓廠(chǎng)商搶入，供應鏈極不穩定

       IGBT供應鏈極不穩定，越來(lái)越多的亞洲廠(chǎng)商已進(jìn)入或愿意進(jìn)入IGBT的市場(chǎng)。中國及韓國廠(chǎng)商進(jìn)入IGBT市場(chǎng)是發(fā)展趨勢。其中，最大的廠(chǎng)商有收購丹尼克斯半導體的中國南車(chē)（CSR）以及BYD，兩者皆有志向垂直整合的業(yè)務(wù)模式進(jìn)軍。

       代工廠(chǎng)及無(wú)晶圓廠(chǎng)也正在瞄準低電壓，低端產(chǎn)品市場(chǎng)的發(fā)展機會(huì )。作為進(jìn)入市場(chǎng)的第一步，亞洲廠(chǎng)商可能會(huì )先掌握既有的標準技術(shù)，專(zhuān)注于生產(chǎn)當地市場(chǎng)所需的產(chǎn)品上。

       與此同時(shí)，美國及歐洲廠(chǎng)商正在致力于推動(dòng)技術(shù)創(chuàng )新，有一部分半導體廠(chǎng)商如安森美（子公司三洋）、萬(wàn)國半導體（AOS）等都正在切入或準備切入IGBT市場(chǎng)。

 在2011-2012年IGBT市場(chǎng)少許反常性的下跌后，Yole分析師預期今年市場(chǎng)已回歸穩定成長(cháng)腳步，具體而言，市場(chǎng)規模預估將從今年的36億美元，在5年后達到60億美金。

IGBT市場(chǎng)成長(cháng)的五大動(dòng)力源

       IGBT在電動(dòng)車(chē)/動(dòng)力混合汽車(chē)( EV/HEV)，再生能源( Renewable Energies)，電機驅動(dòng)器( Motor Drive)，不間斷電動(dòng)力系統 (UPS)及交通上的應用是市場(chǎng)成長(cháng)的動(dòng)力來(lái)源。

       其中，電機驅動(dòng)器是帶動(dòng)IGBT市場(chǎng)成長(cháng)的最大動(dòng)力，又可區分為工業(yè)、商業(yè)和住宅應用；風(fēng)能，太陽(yáng)能等再生能源也是IGBT市場(chǎng)成長(cháng)的幫手。不過(guò)，這兩個(gè)產(chǎn)業(yè)多賴(lài)政府補助或投資，難以正確預估其成長(cháng)趨勢。幸運的是，日本與一些發(fā)展中國家風(fēng)能與太陽(yáng)能市場(chǎng)的成長(cháng)，約可彌補歐洲市場(chǎng)的成長(cháng)趨緩；基于提高能源效率的要求，大眾運輸及不間斷電源系統等基礎建設需求也驅動(dòng)了IGBT市場(chǎng)的成長(cháng)；至于IGBT在EV/HEV應用的情況尚無(wú)法確定，從2013年第一季EV/HEV的市場(chǎng)季報及其技術(shù)演變來(lái)看，增長(cháng)一定會(huì )來(lái)到，但無(wú)法準確斷定成長(cháng)幅度及時(shí)間。

       除了上述的幾個(gè)主要成長(cháng)動(dòng)力外，Yole還對潛在應用進(jìn)行了分析，其中一些重要趨勢不容忽視，例如所謂的“變頻器化”（Inverterization）便是其中之一。

       為了達到高端家電更高性能、更舒適、更節能的必備條件，越來(lái)越多家電電機驅動(dòng)器都要求配備變頻器。消費者也越來(lái)越習慣使用先進(jìn)的家電產(chǎn)品，例如電磁感應電鍋。這一類(lèi)新興應用將會(huì )促使IGBT在消費性應用領(lǐng)域的增長(cháng)。

       2012年電力設備市場(chǎng)衰退，尤其是IGBT市場(chǎng)慘跌25%，主要是由于以下幾個(gè)原因：

1）2012年歐洲各國政府緊縮對再生能源的補助，風(fēng)力發(fā)電機及太陽(yáng)能安裝量驟跌；

2）2012年中國減緩風(fēng)力發(fā)電機的安裝速度；

3）2012年中國高鐵事故導致高鐵的生產(chǎn)喊停

4）全球經(jīng)濟復蘇速度不如預期的快，進(jìn)而影響消費性市場(chǎng)買(mǎi)氣。

       此外，受到日本地震及海嘯的影響，導致系統制造商爭取訂單貨源。綜合上述因素，造成2011年IGBT產(chǎn)能過(guò)剩，IGBT市場(chǎng)也為此在2012年及2013年初付出了代價(jià)。

       與SiC、GaN三分天下，IGBT轉移至中低端解決方案

       此外，IGBT市場(chǎng)還面臨著(zhù)來(lái)自外部的競爭壓力。通過(guò)觀(guān)察IGBT的同類(lèi)元器件的趨勢，注意到發(fā)生了很多技術(shù)演進(jìn)。

       事實(shí)上，IGBT驅動(dòng)器領(lǐng)域從來(lái)沒(méi)有像今天這般活躍過(guò)：有一大堆的新興廠(chǎng)商推出具有更佳設計靈活性及效能的解決方案；其他一些廠(chǎng)商致力于功率堆迭（ｐｏｗｅｒ ｓｔａｃｋ ｌｅｖｅｌ）的設計。越來(lái)越多的廠(chǎng)商將心力投注到功率模塊封裝的解決方案上?！?/p>

       不過(guò)，IGBT已經(jīng)不再是高端電子設備的唯一解決方案了。SiC器件已經(jīng)量產(chǎn)，GaN器件也進(jìn)入試產(chǎn)階段。應用版圖已經(jīng)十分清晰，基于MOSFET或者JFET的SiC太陽(yáng)能變頻器已經(jīng)誕生，高壓和低壓應用市場(chǎng)分別被SiC和GaN技術(shù)占據，IGBT則逐漸轉移至中低端解決方案。

       如今，對高效能源的需求比以往更甚，IGBT仍處于發(fā)展及改善階段：更薄的晶圓，更高效率的生產(chǎn)，功能整合等等。因此，Yole認為IGBT市場(chǎng)并沒(méi)有進(jìn)入彌留之際或是衰退期。不，絕不是，IGBT市場(chǎng)的商機無(wú)限。

中韓廠(chǎng)商搶入，供應鏈極不穩定

       IGBT供應鏈極不穩定，越來(lái)越多的亞洲廠(chǎng)商已進(jìn)入或愿意進(jìn)入IGBT的市場(chǎng)。中國及韓國廠(chǎng)商進(jìn)入IGBT市場(chǎng)是發(fā)展趨勢。其中，最大的廠(chǎng)商有收購丹尼克斯半導體的中國南車(chē)（CSR）以及BYD，兩者皆有志向垂直整合的業(yè)務(wù)模式進(jìn)軍。

       代工廠(chǎng)及無(wú)晶圓廠(chǎng)也正在瞄準低電壓，低端產(chǎn)品市場(chǎng)的發(fā)展機會(huì )。作為進(jìn)入市場(chǎng)的第一步，亞洲廠(chǎng)商可能會(huì )先掌握既有的標準技術(shù)，專(zhuān)注于生產(chǎn)當地市場(chǎng)所需的產(chǎn)品上。

       與此同時(shí)，美國及歐洲廠(chǎng)商正在致力于推動(dòng)技術(shù)創(chuàng )新，有一部分半導體廠(chǎng)商如安森美（子公司三洋）、萬(wàn)國半導體（AOS）等都正在切入或準備切入IGBT市場(chǎng)。